列真EUV光罩缺陷檢測LODAS

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• 更新時間：2023-08-30
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列真EUV光罩缺陷檢測LODAS可一次性檢查第三代半導體 SIC 等材料表面，背面和內部的缺陷，可探測最小缺陷為100 納米，主要用于半導體光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、內部、背面的缺陷檢查

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列真EUV光罩缺陷檢測LODAS在半導體光罩檢測設備上積累了獨自技術， 主產品 LODAS ™系列具有的激光檢測技術，可同時探測收集激光的反射光，透射光以及共聚焦，可一次性檢查第三代半導體 SIC 等材料表面，背面和內部的缺陷，可探測最小缺陷為100 納米，主要用于半導體光罩、 LCD 大型光罩的石英玻璃表面、內部、背面的缺陷檢查 。將此項技術運用于第三代半導體材料的缺陷檢查，將提升量產成品率將具有重要意義。

列真EUV光罩缺陷檢測LODAS應用: SiC、GaN

       半導體光罩（石英玻璃與涂層）、

       石英Wafer    Si Wafer  

       HDD Disk LT Wafer

       藍寶石襯底、

       EUV光罩、

       光罩防塵膜

 可全面檢測 表面、內部、背面的缺陷

  外延缺陷

   胡蘿卜型缺陷

   彗星缺陷

   三角缺陷

   邊緣缺陷

  襯底缺陷

   微管缺陷

   層錯缺陷

   六方空洞缺陷